[TV서울=최형주 기자] 중고압 인버터 애플리케이션용 게이트 드라이버 기술의 선도업체인 파워 인테그레이션스가 외부 부스트 스테이지 없이 최고 피크-출력 게이트 전류를 제공하는 고효율 단일 채널 실리콘 카바이드 MOSFET 게이트 드라이버인 SIC1182K SCALE-iDriver™의 출시를 발표했다.

현재 SiC-MOSFET에서 확인된 요구사항의 범위에 부합하는 다양한 게이트-드라이브 전압 요구사항을 지원하도록 디바이스를 구성할 수 있으며 주요 애플리케이션에는 UPS, 태양광 시스템, 서보 드라이브, 용접 인버터 및 파워 서플라이가 포함된다.

SIC1182K는 정션 온도 125°C에서 최대 8A의 출력을 제공하여 이러한 디바이스가 부스터 스테이지 없이도 수백 킬로와트까지 SiC-MOSFET 인버터 설계를 지원할 수 있도록 한다. 이는 결과적으로 시스템 효율성을 높임으로써, 고객은 단 하나의 설계로 서로 다른 정격 전력 인버터의 포트폴리오 전체를 아우를 수 있게 된다. 최대 150kHz의 스위칭 주파수는 여러 애플리케이션을 지원한다.

SCALE-iDriver SIC1182K SiC 게이트 드라이버는 파워 인테그레이션스의 고속 FluxLink™ 통신 기술을 특징으로 하며 절연 성능을 획기적으로 개선한다. FluxLink는 신호 전송의 혁명적인 기술로서, 옵토커플러 및 커패시티브 또는 실리콘 기반 솔루션을 대체하여 안전성을 크게 향상시키고 강화 절연을 최대 1200V까지 제공한다. 또한 SCALE-iDriver 디바이스는 불포화 모니터링 및 전류 SENSE 판독, 1차측 및 2차측 저전압 록아웃, 고급 액티브 클램핑와 같은 시스템에 중요한 보호 기능을 포함하고 있다. 보호 회로는 SiC 디바이스의 신속한 보호 필요성을 충족시키면서 5마이크로초 이내에 안전한 셧다운 기능을 제공한다. SIC1182K SiC 게이트 드라이버는 높은 외부 자기장 내성을 보여주며, IEC60112의 최상 CTI 레벨인 재료 CTI600을 사용하여 9.5mm 이상의 연면거리 및 공간거리를 제공하는 패키지를 특징으로 한다.

파워 인테그레이션스의 게이트 드라이버 제품 마케팅 부문 수석 이사인 Michael Hornkamp는 “실리콘 카바이드 MOSFET 기술은 크기와 무게를 줄이면서 전력 인버터 시스템의 손실도 줄일 수 있는 가능성을 열고 있다”며 “FluxLink™ 기술을 적용한 SCALE-iDriver 제품군은 매우 적은 외부 부품으로 안전하고 비용 효율적으로 인버터의 설계를 가능하게 하며 기능 안전성뿐만 아니라 소형 패키지와 최대 효율성을 보장한다”고 덧붙였다.

SCALE-iDriver 기술은 필요한 외부 부품의 수를 최소화하고 BOM을 줄인다. 탄탈 또는 전해 커패시터가 필요하지 않으며 2차측 권선 하나로 충분하다. 설계 단순성을 높이고 부품의 수는 줄이며 공급망 관리를 쉽게 하는 2-레이어 PCB를 사용할 수 있다.

파워 인테그레이션스의 SCALE-iDriver SIC1182K SiC 게이트 드라이버는 1000V 미만의 저전압 장비에 대한 IEC60664-1 절연 협조와 IEC61800-5-1 전기 모터 드라이브 인버터 규정을 충족한다. 1분동안 5kVAC의 UL 1577은 보류 중이며, VDE0884-10은 진행 중이다.

디바이스는 현재 판매 중이며 가격은 1만개 단위로 개당 4.65달러이다. 기술 정보는 파워 인테그레이션스 웹사이트에서 제공된다.